行业动态

华进半导体先进封装项目建设迈出关键一步
作者:365真人游戏 发布时间:2020-12-29 18:52

  据华进半导体官网显示,2020年12月25日下午,在国家和江苏省、无锡市、新吴区党政领导及公司股东的关心下,华进半导体封装先导技术研发中心有限公司举行华进二期开工仪式暨先进封装材料验证实验室项目签约仪式。

  华进半导体董事长于燮康表示,依托华进二期建设的国家集成电路特色工艺及封装测试创新中心以及先进封装材料验证实验室的签约共建是实现华进发展战略的重要举措,华进立志打造成为国际一流的研发中心和技术转换平台,这将为华进带来新的发展机会,也会进一步巩固江苏省、无锡市在中国集成电路封测领域内的领先优势,为增强江苏及无锡地区封测产业的实力做出贡献。

  中科院集成电路创新研究院(筹)院长叶甜春祝贺华进二期开工,并表示华进公司已成为无锡市新吴区半导体产业的重要平台,形成了一定的先发优势,华进公司建立了自己的品牌和影响力,对推动中国半导体产业协同发展和形成未来封装技术体系起着关键的作用。二期开工建设既是华进公司发展历程上的一座里程碑,也展现了华进实现高质量发展的信心和决心。

  无锡市副市长、新吴区委书记蒋敏对华进二期建设予以祝贺,对共建先进封装材料验证实验室充满期待。她表示,华进公司作为无锡市高新区的重点企业,这些年来一直保持着良好的发展态势和强劲的发展潜力。无锡高新区将以此次为项目建设和签约为契机,进一步深化合作,提升服务,努力以更优的创新生态和创业环境,为全市太湖湾科创带战略的实施做引领、当示范。

  新吴区副区长朱晓红代表无锡国家高新技术产业开发区管理委员会与华进半导体封装先导技术研发中心有限公司总经理曹立强签约共建先进封装材料验证实验室。

  在热烈的氛围中,江苏省无锡市委书记黄钦宣布华进二期项目正式开工,所有人满怀着祝福和期待,共同见证这一辉煌时刻。开工典礼和签约仪式的成功举行,标志着项目建设迈出关键的一步,未来必将成为华进一张靓丽的新名片。

  作为国家集成电路特色工艺及封装测试创新中心建设的重要组成部分,华进二期“年封装测试2500万颗半导体产品的先进封装与系统集成升级改造项目”,致力于实现国产高性能专用集成电路芯片的自主可控封装测试,以先进封装/系统集成国家级研发平台为基础,开发三维系统集成封装及相关先进封装技术。

  项目建设用地约24亩,其中厂房、科研办公楼、配套动力厂房和仓储建筑等建筑面积约25000平方米,项目总投资6亿元。项目建成后,提供用于汽车电子、消费类电子与通讯类产品等的引线键合焊球阵列封装,和处理器芯片、高带宽网络服务器、通讯芯片、射频芯片、存储器等的倒装芯片焊球阵列封装以及倒装芯片芯片尺寸封装。基于对集成电路封装技术发展方向的综合研判,华进二期建设将重点围绕三方面技术进行研究:面向人工智能(AI)/高性能计算(HPC)应用的大马士革硅转接板技术,面向物联网IOT、消费类电子产品的晶圆级封装技术,以及面向中央处理器(CPU)、图形处理器(GPU)和专用集成电路(ASIC)的FCBGA封装技术。

  通过建设华进二期,华进将进一步丰富完善基于自主创新技术的知识产权体系,整体技术水平进入世界前列;进一步发挥产业链协同创新模式,结合设计、系统企业产品需求,强化产业链上下游协作,推动高端封装技术的量产应用与产业化推广;进一步促进高端IC产品全产业链的研发,同时通过原始技术创新建立可持续的产业发展模式,为国内封测产业技术升级提供整套先进解决方案(China Total Solution),推动有中国特色半导体封测产业链和价值链的发展。

  由无锡国家高新技术产业开发区管理委员会与华进半导体封装先导技术研发中心有限公司共建的先进封装材料验证实验室,以国内应用端龙头公司集成电路封装材料需求为导向对先进封装材料的关键性能进行评估、验证、调试和优化,为先进封装材料商提供材料改进的方向,使先进封装关键材料的性能满足先进封装FCCSP、FCBGA、晶圆级扇出封装(Fan-out)和2.5D/3D等的工艺、可靠性和量产化要求。通过对封装工艺进行研究,从工艺端探索出影响电子封装材料翘曲、间隙填充、凸点保护、流动性缺陷等各种封装工艺参数,确保封装材料和封装工艺的整体匹配,从配方和工艺协调联合研究开发的角度最终满足电子封装材料的整体要求。

  先进封装材料验证实验室建成后,将致力于填补国内大循环、国内国际双循环格局下的中国集成电路封测产业链中的关键先进封装材料与工艺的耦合环节缺失;将着力衔接材料开发、工艺应用与集成电路产品,带动材料技术体系的提升和产业化水平,形成先进封装材料技术与产业的国际化竞争力;将针对应用端支持可控材料,对集成电路封测的核心受限材料开展快速评估验证和快速产业化,实现中国集成电路龙头企业自主可控发展的目标。

  据天眼查显示,华进半导体是一家半导体封装先导技术研发商,通过开展系统级封装/集成先导技术研究,研发2.5D/3D TSV互连及集成关键技术(包括TSV制造、凸点制造、TSV背露、芯片堆叠等),为产业界提供系统解决方案。同时将开展多种晶圆级高密度封装工艺与SiP产品应用的研发,以及与封装技术相关的材料和设备的验证与研发。

  华进半导体经过了多轮融资,投资方包括中科物联、中科院微电子、长电科技、晶方科技、华天科技、兴森科技、深南电路、国开发展基金、通富微电、新潮集团、华达微电子。

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  ABA-52563是一款通用5V硅宽带RFIC放大器,采用工业标准SOT-363(6引脚SC70)封装。该器件具有高增益,良好的线 GHz的平坦宽带频率响应。特性 在2GHz时,ABA-52563的增益为21dB,OIP3高达在5V / 34mA偏置时,20dBm和10dBm的P1dB。内部输入和输出50欧姆匹配使其易于使用,设计工作量很小,使其成为无线通信市场中频,缓冲和通用放大器的绝佳选择。

  MGA-31389是一款0.10W高增益驱动放大器MMIC,适用于50 MHz至2.0 GHz的应用,采用SOT-89标准塑料封装。 它是Broadcom增益模块系列之一,具有高线性度,高增益,出色的增益平坦度和低功耗特性。 MGA-31389是一款0.10W增益模块解决方案,针对频率进行了优化,可提供卓越的RF性能。这个高增益0.10W增益模块系列有2个器件。 MGA-31389适用于50 MHz至2.0 GHz的应用,而MGA-31489适用于1.5 GHz至3.0 GHz,因此覆盖了所有主要的蜂窝频段 - mdash; GSM,CDMA和UMTS加上下一代LTE频段。 通用的封装和PCB布局允许单一设计支持多种频率和地域市场,并可选择输出功率。这些器件还具有高增益,可以减少所需的RF级总数。 特点 符合ROHS 无卤素 低直流偏置功率时的高IP3 高增益,增益平坦度好 低噪声图 高级增强模式PHEMT技术 产品规格的一致性非常好 SOT-89标准包...

  ABA-53563是一款通用型5V硅宽带RFIC放大器,采用工业标准SOT-363(6引脚SC70)封装。该器件具有高增益,良好的线 GHz的扁平宽带频率响应。特性 在2GHz时,ABA-53563可提供21dB的增益,OIP3可达到5V / 45mA偏置时,23dBm和P1dB为13dBm。内部输入和输出50欧姆匹配使其易于使用,设计工作量很小,使其成为无线通信市场中频,缓冲和通用放大器的绝佳选择。

  MGA-31289是一款0.25W高增益驱动放大器MMIC,适用于1.5 GHz至3.0 GHz的应用,采用SOT-89标准塑料封装。 它是Broadcom增益模块系列之一,具有高线性度,高增益,出色的增益平坦度和低功耗特性。 MGA-31289是一款0.25W增益模块解决方案,针对频率进行了优化,可提供卓越的RF性能。此高增益0.25W增益模块系列有2个器件。 MGA-31189适用于50 MHz至2.0 GHz的应用,而MGA-31289适用于1.5 GHz至3.0 GHz,因此覆盖了所有主要的蜂窝频段 - mdash; GSM,CDMA和UMTS加上下一代LTE频段。 通用的封装和PCB布局允许单一设计支持多种频率和地域市场,并可选择输出功率。这些器件还具有高增益,可以减少所需的RF级总数。 特性 符合ROHS 无卤素 低直流偏压时的高线性度 高增益 良好的增益平坦度 低噪声图 产品规格的优异均匀性 SOT-89标准包装...

  MGA-30889 40MHz - 2600MHz平坦增益高线性度增益模块

  MGA-30689是宽带,平坦增益,高线性度 通过使用Broadcom的专有0.25um GaAs增强模式pHEMT工艺实现增益模块MMIC放大器。 该器件需要简单的直流偏置元件才能实现宽带宽性能。 特性 高线性度 产品规格的优异均匀性 内置温度补偿内部偏置电路 不需要 RF 匹配组件 标准 SOT89 封装 MSL-2和无铅无卤素 用于基站应用的高MTTF 应用 中频放大器,射频驱动放大器 通用增益模块

  MGA-82563 3V驱动器放大器,17dBm P1dB,低噪声,0.1-6GHz,SOT363(SC-70)

  MGA-82是3V器件,具有17dBm P1dB。它采用微型SOT-363封装,专为3V驱动放大器应用而设计。偏压:3V,84mA;增益= 13dB; NF = 2.2dB; P1dB = 17.3dBm;所有2GHz的IP3i = 14dB。

  MGA-31589是一款0.5W高增益驱动放大器MMIC,适用于450 MHz至1.5 GHz的应用,采用SOT-89标准塑料封装。 它是Broadcom增益模块系列之一,具有高线性度,高增益,出色的增益平坦度和低功耗特性。 特性 符合ROHS 无卤素 低直流偏置功率下的高线性度 高增益 低噪声图 高OIP3 高级增强模式PHEMT技术 产品规格的优异均匀性 SOT-89标准包

  MGA-87563 3V LNA,4.5mA低电流,0.5-4GHz,SOT363(SC-70)

  MGA-87是一款3V器件,在低至4.5GHz的低电流下具有低噪声系数。它采用微型SOT-363封装,专为3V低噪声放大器应用而设计。偏压:3V,4mA;增益= 14dB; NF = 1.5dB; P1dB = 0dBm; IP3i = -4均为2GHz。

  MGA-31489是一款0.10W高增益驱动放大器MMIC,适用于1.5 GHz至3.0 GHz的应用,采用SOT-89标准塑料封装。 它是Broadcom增益模块系列之一,具有高线性度,高增益,出色的增益平坦度和低功耗特性。 MGA-31489是一款0.10W增益模块解决方案,针对频率进行了优化,可提供卓越的RF性能。这个高增益0.10W增益模块系列有2个器件。 MGA-31389适用于50 MHz至2.0 GHz的应用,而MGA-31489适用于1.5 GHz至3.0 GHz,因此覆盖了所有主要的蜂窝频段 - mdash; GSM,CDMA和UMTS加上下一代LTE频段。 通用的封装和PCB布局允许单一设计支持多种频率和地域市场,并可选择输出功率。这些器件还具有高增益,可以减少所需的RF级总数。 特性 符合ROHS 无卤素 低直流偏置电源下的高IP3 高增益,增益平坦度好 低噪声图 高级增强模式PHEMT技术 产品规格的优异均匀性 SOT- 89标准包...

  Broadcom MGA-30116是一种高线; Watt PA具有良好的OIP3性能,在p1dB增益压缩点具有极佳的PAE,通过使用Broadcom专有的0.25um GaAs增强模式pHEMT工艺。 特性 高线dB 在负载条件下无条件稳定 内置可调温度补偿内部偏置电路 GaAs E-pHEMT技术[1] 标准QFN 3X3封装 5V电源 产品规格的均匀性非常好 可提供卷带包装选项 MSL-1和无铅 点MTTF

  120°时的300年; C通道温度 应用 用于GSM / CDMA基站的A类驱动放大器。 通用增益块。...

  Broadcom的MGA-81563是一款经济实惠,易于使用的GaAs MMIC放大器,可为应用提供出色的功率和低噪声等特性从0.1到6 GHz。 MGA-81563采用超小型SOT-363封装,占用SOT-143封装的一半电路板空间,专为3V驱动放大器应用而设计。 功能 可用无铅选项 2.0 GHz时+14.8 dBm P1dB 2.0 GHz时+17 dBm Psat 单+ 3V电源 2.8 dB噪声系数2.0 GHz 12.4 dB增益2.0 GHz 超小型封装 无条件稳定 应用程序 用于PCS,PHS,ISM,SATCOM和 WLL应用程序的缓冲区或驱动程序放大器 高动态范围LNA...

  MGA-545P8 适用于5-6GHz系统的低电流22dBm中等功率放大器,适用于LPCC2x2

  MGA-545P8是一款经济实惠,易于使用的GaAs E-pHEMT MMIC中功率放大器,采用8引脚LPCC(JEDEC DFP-N)封装,非常适合用作802.11a网卡和AP中的驱动放大器,以及5-6GHz固定无线接入的输出放大器。虽然针对5.8GHz应用进行了优化,但该器件在1-6 GHz频率范围内具有出色的RF性能,功效和产品一致性。 通过简单的输入匹配,MGA-545P8提供饱和功率输出为22dBm,5.8GHz时饱和增益为9.5dB,直流偏置仅需3.3V / 92mA,功率附加效率为46%。在线dBm线性Pout的小信号增益,满足5.6%EVM。特性 热效封装尺寸仅为2mm x 2mm x 0.75mm。其背面金属化提供了出色的散热性能以及焊料回流的可视证据。该器件的点MTTF超过300年,安装温度为85 o C....

  MGA-30789是一个宽带,高线性度 增益模块MMIC放大器使用Broadcom的专有0.25um GaAs增强模式pHEMT工艺。 该器件需要简单的直流偏置元件才能实现宽带宽性能。 特性 高线性度 产品规格的优异均匀性 内置温度补偿内部偏置电路 不需要 RF 匹配组件 标准 SOT89 封装 MSL-2和无铅无卤素 用于基站应用的高MTTF 应用 射频驱动放大器 通用增益模块

  MGA-31189是一款0.25W高增益驱动放大器MMIC,适用于50 MHz至2.0 GHz的应用,采用SOT-89标准塑料封装。 它是Broadcom增益模块系列之一,具有高线性度,高增益,出色的增益平坦度和低功耗特性。 MGA-31189是一款0.25W增益模块解决方案,针对频率进行了优化,可提供卓越的RF性能。此高增益0.25W增益模块系列有2个器件。 MGA-31189适用于50 MHz至2.0 GHz的应用,而MGA-31289适用于1.5 GHz至3.0 GHz,因此覆盖了所有主要的蜂窝频段 - mdash; GSM,CDMA和UMTS加上下一代LTE频段。 通用的封装和PCB布局允许单一设计支持多种频率和地域市场,并可选择输出功率。这些器件还具有高增益,可以减少所需的RF级总数。 特性 符合ROHS 无卤素 低直流偏置功率下的极高线性度 高增益 良好的增益平坦度 低噪声图 产品规格的优异均匀性 SOT-89标准包装...

  MGA-621P8是一款经济实惠,易于使用的GaAs MMIC低噪声放大器(LNA)器件。该器件设计用于700 MHz至1.5 GHz频率范围内的最佳使用,并采用微型2.0x2.0x0.75mm 3 8引脚双扁平无引线( DFN)封装。 特性 高线性性能 低噪声系数 低成本小封装尺寸 集成断电控制引脚 应用 用于小型蜂窝基站应用的LNA 其他低噪声射频应用

  MGA-725M4 具有旁路开关的3V LNA,2至14dBm可调节IIP3,MiniPak封装

  MGA-725M4是一款低噪声放大器,内置旁路开关,采用微型无引线封装。它采用MiniPak 1412封装,专为3V蜂窝/ PCS应用而设计,例如: CDMA手机中的LNA和驱动放大器。偏压:3V,20mA;增益= 14.4dB; NF = 1.4dB;所有2GHz的IP3i = 9.9dBm。

  Broadcom MGA-634P8是一款经济,易于使用的GaAs MMIC低噪声放大器(LNA),通过使用Broadcom专有的0.25um GaAs增强模式pHEMT工艺实现了低噪声和高线低噪声放大器是Broadcom超低噪声,高增益,高线性度砷化镓(GaAs)低噪声放大器系列的最新成员,旨在用作蜂窝基站收发器无线电的第一级LNA卡,塔顶放大器(TMA),合路器,中继器和远程/数字无线高线性低噪声放大器特点: 1500 MHz到2300 MHz操作 同类最佳NF:0.44 dB @ 1900 MHz 高线 高增益:17.4 dB 21 dBm OP1dB @ 1900 MHz 单5V电源和48mA低功耗 240 mW Broadcom&rs的通用封装和匹配网络现状MGA-63xP8系列 简化不同频率的PCB设计和工程 功能 Ultra Low noise Figure 高线性性能 GaAs E-pHEMT技术 低成本小封装尺寸:2.0x2.0x0.75mm 3 产品规格的优异均匀性 可提供卷带包装选项 应用 低噪音用于GSM,TDS-CDMA和CDMA蜂窝基础设施的放大器 其他超低噪声应用...

  Broadcom ALM-2203是一款微型高度集成的LNA滤波器RFIC模块。该模块旨在使卫星数字音频无线电服务(SDARS)信号与现代汽车中常见的蜂窝,WiFi,蓝牙和GPS信号共存。 该模块集成了三个低噪声放大器(LNA)采用微型5x5x0.95mm封装的Film Bulk Acoustic Resonator(FBAR)滤波器。该模块具有低噪声系数,高增益和低电流消耗,非常适用于关键的低功耗卫星数字音频无线电服务(SDARS)无线电系统。 功能 高级OOB P1dB,支持SDARS与蜂窝/ WiFi / GPS共存 高度集成的芯片模块,降低BOM成本和设计时间 低噪声系数(NF)增强SDARS接收器灵敏度 适用于带集成蜂窝/ WiFi发射器的SDARS天线mm适用于鲨鱼的包装-fin型天线 应用程序 SDARS Radio系统 ...

  MGA-86563 5V LNA,20dB高增益,0.5-6GHz,SOT363(SC-70)

  MGA-86是5V部件,具有高增益和低噪声系数。它采用微型SOT-363封装和70 mil陶瓷封装,专为5V低噪声放大器应用而设计。偏压:5V,16mA;增益= 20dB; NF = 2dB; P1dB = 6dBm; IP3i = -4dB均为2GHz。

  MGA-71543 带旁路开关的3V LNA,0至9dBm可调节IIP3,SOT343(SC-70)

  MGA-71543是一款内置旁路开关的低噪声放大器。它采用微型SOT-343封装,专为3V蜂窝/ PCS应用而设计,例如: CDMA手机中的LNA和驱动放大器。偏置3V,10mA:增益= 16dB; NF = 1.1dB;所有在2GHz时IIP3 = 4.3dB。在旁路模式下:插入损耗= 5.6dB; IIP3 = 35dBm。

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